RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
56
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
56
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2761
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link