RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
49
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2892
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link