RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
47
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
3579
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link