RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
47
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
21
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
2822
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link