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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
47
左右 -124% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
21
读取速度,GB/s
10.4
17.7
写入速度,GB/s
7.8
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2822
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
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