RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
47
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
3148
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link