RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
47
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
3372
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link