RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
47
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
38
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
2821
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link