Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    42 left arrow 47
    Wokół strony -12% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15.7 left arrow 10.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.4 left arrow 7.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 12800
    Wokół strony 2 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    47 left arrow 42
  • Prędkość odczytu, GB/s
    10.4 left arrow 15.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.8 left arrow 12.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2169 left arrow 2352
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania