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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
42
47
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
42
读取速度,GB/s
10.4
15.7
写入速度,GB/s
7.8
12.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2352
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
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