RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
47
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2169
2890
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link