RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3790
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link