RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
38
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
38
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3332
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link