RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2432
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link