RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
25
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2989
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link