RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
27
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2173
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link