RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2658
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link