RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
54
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
39
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2089
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Corsair CM3X1G1600C9DHX 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link