RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
126
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
6.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
126
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
1108
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
UMAX Technology 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link