RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
54
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
40
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2204
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link