RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
54
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
22
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3066
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology AD63I1C1624EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link