RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Avexir Technologies Corporation T 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
54
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
21
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2801
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link