RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
54
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3257
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link