RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
54
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2636
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link