RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
54
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3462
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link