RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
54
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
4000
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link