RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
54
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
50
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3277
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link