RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
54
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3091
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link