RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
54
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
33
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3166
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link