RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
54
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
33
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3048
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link