RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
54
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
39
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2810
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link