RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
54
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2780
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link