RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
54
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3418
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5469-037.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link