RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
54
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3508
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link