RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
54
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2882
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link