RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
15
54
Wokół strony -260% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
15
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
23.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
21.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
4039
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link