RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
16
54
Wokół strony -238% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.3
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
16
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
22.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
21.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3952
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link