RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
54
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
1617
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link