RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
54
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3866
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link