RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
54
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3673
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905471-085.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link