RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
54
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3533
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link