RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
54
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
37
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2841
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link