RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
54
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3660
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link