RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
54
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2989
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link