RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
54
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2679
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link