RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
54
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3778
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link