RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
54
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3040
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link