RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
54
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2762
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link