Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    22 left arrow 54
    Wokół strony -145% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    17.7 left arrow 9.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.7 left arrow 8.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 12800
    Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    54 left arrow 22
  • Prędkość odczytu, GB/s
    9.2 left arrow 17.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.1 left arrow 12.7
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2105 left arrow 3075
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania