RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
54
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3729
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link